Media_Press | 茨城大学_半導体研究室

	高価な赤外センサを身近な元素で低価格に－資源が豊富なマグネシウムシリサイドを用いた赤外イメージセンサの開発に成功－本研究室と木村孝之准教授らの研究グループとの共同研究により、資源が豊富な元素からなるマグネシウムシリサイド（Mg2Si）で、波長2.1µmまでの近赤外領域に感度をもつ赤外イメージセンサを開発することに成功しました。（2026年4月2日）詳細はこちらのプレスリリース

高価な赤外センサを身近な元素で低価格に

本研究室と木村孝之准教授らの研究グループとの共同研究により、資源が豊富な元素からなるマグネシウムシリサイド（Mg2Si）で、波長2.1µmまでの近赤外領域に感度をもつ赤外イメージセンサを開発することに成功しました。（2026年4月2日）

	半導体特集のインタビュー記事省エネ社会を導く半導体の力雑誌の特集記事「半導体の世界をひらく」の中で、半導体に関する教育と研究についてのインタビュー記事が掲載されました。（2025年11月1日）

雑誌の特集記事「半導体の世界をひらく」の中で、半導体に関する教育と研究についてのインタビュー記事が掲載されました。（2025年11月1日）

	EE Times Japan 記事 Mg2Si基板を用いたPDアレイ　安価なSWIRイメージセンサー実現へ Mg2Siを用いたフォトダイオードリニアアレイの開発についての発表が、エレクトロニクス系メディアのEE Times Japanに取り上げられました。（2024年10月9日）
	茨城大学プレスリリース Mg2Siで実現するSWIRイメージセンサー応用物理学会で注目講演となったMg2Siを用いたフォトダイオードリニアアレイの開発について茨城大学からもプレスリリースされました。（2024年10月1日）
	応用物理学会プレスリリース Mg2SiのSWIRイメージセンサーで実現する“安価な” 情報革命 Mg2Siを用いたフォトダイオードリニアアレイの開発についての発表が、第８５回（2024年）応用物理学会秋季学術講演会の注目講演としてプレスリリースされました。（2024年9月12日）

Mg2Siを用いたフォトダイオードリニアアレイの開発についての発表が、エレクトロニクス系メディアのEE Times Japanに取り上げられました。（2024年10月9日）

応用物理学会で注目講演となったMg2Siを用いたフォトダイオードリニアアレイの開発について茨城大学からもプレスリリースされました。（2024年10月1日）

Mg2Siを用いたフォトダイオードリニアアレイの開発についての発表が、第８５回（2024年）応用物理学会秋季学術講演会の注目講演としてプレスリリースされました。（2024年9月12日）

	茨城大学・名古屋大学共同プレスリリース直径50mmサイズの高品質マグネシウムシリサイド単結晶開発に成功名古屋大学の宇佐美徳隆教授、Liu Xin 特任助教らとの共同研究によって、直径50mmサイズのマグネシウムシリサイド（Mg2Si）半導体単結晶の育成に成功しました。データ駆動科学を活用することで研究開発期間を大幅に短縮することができました。（2023年12月13日）
	Optronics記事茨城大らφ50mmのMg2Si単結晶開発に成功 Mg2Si単結晶の開発成果について光技術関係メディアのOptronics Onlineで取り上げられました。（2023年12月13日）